大功率二极管
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这种高功率脉冲激光二极管能从多模光纤中产生纳秒级的光脉冲。 它包括一个同步工具,可为激光雷达、激光二极管相机同步或特殊照明生成任何脉冲或脉冲串配置。 它是一种优化的高功率脉冲激光二极管解决方案,可在从 405 nm 到 1470 nm 的 10 个可见光或红外波长(如 905 nm 激光二极管或 940 nm 脉冲激光二极管)上产生峰值功率高的纳秒级精密脉冲。 所有模块都具有高亮度,典型的输出纤芯为 105 µm(也可根据特殊要求提供 62.5 µm)。 它通常用作激光雷达激光二极管(激光雷达测试台)或各种同步应用的激光源。 这些光纤耦合高功率脉冲激光二极管可发射 ...
AERODIODE

反向电压: 2 V
温度范围: 10 °C - 55 °C
这些光纤耦合 450nm 激光二极管可作为库存产品提供,也可与连续波或脉冲激光二极管驱动器配套使用。 它们可与我们的高速纳秒脉冲驱动器或带空气冷却的高功率 CW 驱动器兼容,用于多模高功率激光二极管版本。 单模 450nm 激光二极管可在纳秒脉冲状态下达到高达 60mW 的高功率。 大多数交钥匙激光管+驱动器的光源模块均针对单发到CW性能进行了优化,脉冲长度低至1纳秒。 450nm 激光二极管精密脉冲由板载脉冲发生器在内部产生,或根据要求由外部 TTL 信号产生。提供 ...
AERODIODE

反向电压: 2 V
温度范围: -20 °C - 75 °C
这些光纤耦合 1064nm 激光二极管可作为库存产品提供,也可与连续波或脉冲激光二极管驱动器配套使用。 它们可与低噪声连续或高速纳秒脉冲驱动器兼容(向下滚动查看所有版本) 3 个 DFB 版本可用于脉冲或窄线宽 CW 模式跳变自由连续调谐。 这些 1064nm 激光二极管可在纳秒脉冲状态下达到高达 2W 的高输出功率。 大多数交钥匙激光管+驱动器解决方案均针对单发到 CW 性能进行了优化,脉冲宽度低至 1 纳秒。 1064nm 激光二极管精密脉冲由板载脉冲发生器在内部产生,或根据要求由外部 ...
AERODIODE

反向电压: 15 V
温度范围: -20 °C - 60 °C
该光纤耦合 1490 nm 半导体激光管可提供现货,也可与低噪声 CW 或脉冲半导体激光管驱动器连用。 这两种型号均为单频版本(DFB半导体激光管),功率可达 40 mW。 它们可以与我们的高速纳秒脉冲驱动器兼容,适用于电信、光谱学或三维传感研发。 该单模 1490 nm 半导体激光管可在纳秒脉冲状态下达到高达 60 mW 的高功率。 大多数交钥匙激光管和驱动器解决方案均针对单发到 CW 性能进行了优化,脉冲宽度长度可低至 1 纳秒。 1490 nm 半导体激光管精密脉冲由内部板载脉冲发生器或根据需要由外部 ...
AERODIODE

反向电压: 2 V
温度范围: 0 °C - 70 °C
... 这些光纤耦合 1070nm 激光二极管可作为库存产品提供,也可与 CW 或脉冲激光二极管驱动器配套使用。它们与我们的低噪声 CW 或高速纳秒脉冲驱动器兼容。我们还提供带有 TEC 控制器的开放式或集成式交钥匙激光模块。 1070nm 激光二极管的纳秒脉冲功率可达 675mW。大多数交钥匙二极管+驱动器解决方案都经过优化,可实现从单发到 CW 的性能,脉冲宽度可低至 1 纳秒。1070nm 激光二极管精密脉冲由板载脉冲发生器在内部产生,或根据需要由外部 TTL 信号产生。 ...
AERODIODE

反向电压: 15 V
温度范围: -20 °C - 60 °C
该光纤耦合 1510 nm 半导体激光管可提供现货,也可与低噪声 CW 或脉冲半导体激光极管驱动器连用。 这两种型号均为单频版本(DFB半导体激光管),功率可达 40 mW。 它们可以与我们的高速纳秒脉冲驱动器兼容,适用于电信、光谱学或三维传感研发。 该单模1510 nm 半导体激光管在纳秒脉冲状态下可达到60 mW的高功率。 大多数交钥匙激光管和驱动器解决方案均针对单发到 CW 性能进行了优化,脉冲宽度长度可低至 1 纳秒。 1510 nm 半导体激光管精密脉冲由内部板载脉冲发生器产生,也可以根据需要由外部TTL信号产生。 ...
AERODIODE

反向电压: 2 V
温度范围: -40 °C - 60 °C
这些光纤耦合 660nm 激光二极管作为库存产品提供 也可以和 CW 或脉冲半导体激光管驱动器联用。 它们可与我们的高速纳秒脉冲驱动器或带空气冷却的高功率 CW 驱动器兼容,用于多模高功率激光二极管版本。 单模型号的 660nm 激光二极管功率可达 150mW,多模型号可达 10W。 大多数交钥匙单模激光管+驱动器解决方案均针对单发到 CW 性能进行了优化,脉冲宽度长度低至 1 纳秒。 660nm 激光二极管精密脉冲由板载脉冲发生器在内部产生,或根据需要由外部 ...
AERODIODE

反向电压: 2 V
温度范围: 0 °C - 70 °C
... 这些光纤耦合 1075nm 激光二极管可作为库存产品提供,也可与 CW 或脉冲激光二极管驱动器配套使用。它们与我们的低噪声 CW 或高速纳秒脉冲驱动器兼容。我们还提供带有 TEC 控制器的开放式或集成式交钥匙激光模块。 1075nm 激光二极管的纳秒脉冲功率可达 600mW。大多数交钥匙二极管+驱动器解决方案都经过优化,可实现从单发到 CW 的性能,脉冲宽度可低至 1 纳秒。1075nm 激光二极管精密脉冲由板载脉冲发生器在内部产生,或根据需要由外部 TTL 信号产生。有关这里使用的两种技术的更多信息,请参阅我们的光纤耦合激光二极管教程:Fabry ...
AERODIODE

反向电压: 15 V
温度范围: -20 °C - 60 °C
这些光纤耦合 1525 nm 半导体激光管可提供现货,也可与低噪声 CW 或脉冲半导体激光管驱动器连用。 所有 2 个型号均为单频版本,功率高达 30 mW。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器兼容,是电信、三维传感或量子研发的最佳解决方案。 单模1525 nm半导体激光管的纳秒脉冲功率可达 30 mW。 大多数交钥匙激光管和驱动器解决方案均针对单发到 CW 性能进行了优化,脉冲宽度长度可低至 1 纳秒。 1525 nm 半导体激光管精密脉冲由内部板载脉冲发生器产生,或根据需要由外部 ...
AERODIODE

反向电压: 2 V
温度范围: -20 °C - 70 °C
该光纤耦合 785nm 半导体激光管可提供现货,也可以与连续或脉冲半导体激光管驱动器连用。 它们与超低噪声或高速纳秒脉冲驱动器、带空气冷却功能、带高功率多模半导体激光管的CW 驱动器兼容。 785 nm 半导体激光管提供六种不同的型号,其中 3 种具有窄发射线宽。 大多数集成半导体激光管和驱动器解决方案被用来优化低噪声 CW 发射或脉冲性能,脉宽低至 1 纳秒。 1 个多模版本具有窄线宽,3 个多模版本在 105 µm 纤芯多模光纤中提供CW高达 20 W 的功率。 785 ...
AERODIODE

反向电压: 60 V
温度范围: -55 °C - 200 °C
... CLA4605-085LF 是一款表面贴装、低电容硅 PIN 限幅二极管,设计为并联 PIN 二极管,适用于 10 MHz 至 6 GHz 以上的高功率限幅应用。 10 mA 时的最大电阻为 2 Ω,6 V 时的最大电容为 0.45 pF。低结电容、低寄生电感、低热阻和标称 2 um I 区宽度的组合使 CLA4605-085LF 适用于大信号限幅器应用。阈值电平标称为 +9 dBm。 CLA4605-085LF 的框图如图 1 所示。CLA4605-085LF ...
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