PIN二极管 808LD series

信号脉冲大功率

该光纤耦合 808 nm 半导体激光管可提供现货，也可以与 CW 或脉冲半导体激光管驱动器连用。 它们与用于多模半导体激光管的高速纳秒脉冲驱动器或高功率 CW 和带空气冷却的脉冲驱动器相兼容。 单模808 nm 半导体激光管可在纳秒脉冲范围内达到 400 mW 的高功率。 大多数交钥匙激光管+驱动器的光源模块均针对单发到CW性能进行了优化，脉冲长度低至1纳秒。 808 nm 半导体激光管由内部的板载脉冲发生器或外部 TTL 信号提供精确脉冲。 CW和脉冲模式下提供 4 种多模版本，100 µm 多模光纤中功率高达 60 W，200 µm 多模光纤中功率高达 100 W 。 808 nm 半导体激光管主要特点（向下滚动以查看所有版本和价格）： 808 nm 半导体激光管 脉冲和CW驱动器 该单模半导体激光管（型号 1）可提供现货，也可安装在此脉冲和CW半导体激光管驱动器中。 向下滚动查看所有版本和价格。 所有版本均为光纤耦合。 五种型号：1个单模和6个高功率多模 单模版本可选：PM 光纤、适用于对准808 nm激光管的光纤布拉格光栅、光学准直器等。 单模型号高达 250 mW CW；多模 100 W 单模版本的光纤峰值功率高达 400 mW 单模版本的脉冲宽度低至 1 ns 低噪声 CW 发射 现在还可提供短纳秒脉冲的高功率解决方案（峰值功率高达350 W -<10 ns，从105 µm芯的光纤中取出）：请关注专门的产品页面：高功率脉冲激光二极管