频率二极管
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反向电压: 15 V
温度范围: -20 °C - 60 °C
该光纤耦合 1490 nm 半导体激光管可提供现货,也可与低噪声 CW 或脉冲半导体激光管驱动器连用。 这两种型号均为单频版本(DFB半导体激光管),功率可达 40 mW。 它们可以与我们的高速纳秒脉冲驱动器兼容,适用于电信、光谱学或三维传感研发。 该单模 1490 nm 半导体激光管可在纳秒脉冲状态下达到高达 60 mW 的高功率。 大多数交钥匙激光管和驱动器解决方案均针对单发到 CW 性能进行了优化,脉冲宽度长度可低至 1 纳秒。 1490 nm 半导体激光管精密脉冲由内部板载脉冲发生器或根据需要由外部 ...
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反向电压: 2 V
温度范围: 0 °C - 70 °C
... 这些光纤耦合 1070nm 激光二极管可作为库存产品提供,也可与 CW 或脉冲激光二极管驱动器配套使用。它们与我们的低噪声 CW 或高速纳秒脉冲驱动器兼容。我们还提供带有 TEC 控制器的开放式或集成式交钥匙激光模块。 1070nm 激光二极管的纳秒脉冲功率可达 675mW。大多数交钥匙二极管+驱动器解决方案都经过优化,可实现从单发到 CW 的性能,脉冲宽度可低至 1 纳秒。1070nm 激光二极管精密脉冲由板载脉冲发生器在内部产生,或根据需要由外部 TTL 信号产生。 ...
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反向电压: 15 V
温度范围: -20 °C - 60 °C
该光纤耦合 1510 nm 半导体激光管可提供现货,也可与低噪声 CW 或脉冲半导体激光极管驱动器连用。 这两种型号均为单频版本(DFB半导体激光管),功率可达 40 mW。 它们可以与我们的高速纳秒脉冲驱动器兼容,适用于电信、光谱学或三维传感研发。 该单模1510 nm 半导体激光管在纳秒脉冲状态下可达到60 mW的高功率。 大多数交钥匙激光管和驱动器解决方案均针对单发到 CW 性能进行了优化,脉冲宽度长度可低至 1 纳秒。 1510 nm 半导体激光管精密脉冲由内部板载脉冲发生器产生,也可以根据需要由外部TTL信号产生。 ...
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反向电压: 2 V
温度范围: 0 °C - 70 °C
... 这些光纤耦合 1075nm 激光二极管可作为库存产品提供,也可与 CW 或脉冲激光二极管驱动器配套使用。它们与我们的低噪声 CW 或高速纳秒脉冲驱动器兼容。我们还提供带有 TEC 控制器的开放式或集成式交钥匙激光模块。 1075nm 激光二极管的纳秒脉冲功率可达 600mW。大多数交钥匙二极管+驱动器解决方案都经过优化,可实现从单发到 CW 的性能,脉冲宽度可低至 1 纳秒。1075nm 激光二极管精密脉冲由板载脉冲发生器在内部产生,或根据需要由外部 TTL 信号产生。有关这里使用的两种技术的更多信息,请参阅我们的光纤耦合激光二极管教程:Fabry ...
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反向电压: 15 V
温度范围: -20 °C - 60 °C
这些光纤耦合 1525 nm 半导体激光管可提供现货,也可与低噪声 CW 或脉冲半导体激光管驱动器连用。 所有 2 个型号均为单频版本,功率高达 30 mW。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器兼容,是电信、三维传感或量子研发的最佳解决方案。 单模1525 nm半导体激光管的纳秒脉冲功率可达 30 mW。 大多数交钥匙激光管和驱动器解决方案均针对单发到 CW 性能进行了优化,脉冲宽度长度可低至 1 纳秒。 1525 nm 半导体激光管精密脉冲由内部板载脉冲发生器产生,或根据需要由外部 ...
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反向电压: 2 V
温度范围: 0 °C - 70 °C
... 这些光纤耦合 1080nm 激光二极管可作为库存产品提供,也可与 CW 或脉冲激光二极管驱动器配套使用。它们与我们的低噪声 CW 或高速纳秒脉冲驱动器兼容。我们还提供带有 TEC 控制器的开放式或集成式交钥匙激光模块。 1080nm 激光二极管在纳秒脉冲状态下的功率可达 600mW。大多数交钥匙二极管+驱动器解决方案都经过优化,可实现单发至 CW 性能,脉冲宽度长度可低至 1 纳秒。1080nm 激光二极管精密脉冲由板载脉冲发生器在内部产生,或根据需要由外部 TTL ...
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反向电压: 15 V
温度范围: -20 °C - 60 °C
这些光纤耦合 1530nm 激光二极管可作为库存产品提供,也可与低噪声 CW 或脉冲激光二极管驱动器配套使用。这两种型号都是单频版本(DFB 激光二极管),最高功率可达 40mW。 它们可以与我们的高速纳秒脉冲驱动器兼容,适用于电信、光谱学或三维传感研发。 这些单模 1530nm 激光二极管可在纳秒脉冲状态下达到高达 60mW 的高功率。 大多数交钥匙激光管和驱动器解决方案均针对单发到 CW 性能进行了优化,脉冲宽度长度可低至 1 纳秒。 1530nm 激光二极管精密脉冲由板载脉冲发生器在内部产生,或根据需要由外部 ...
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反向电压: 2 V
温度范围: 0 °C - 70 °C
... 这些光纤耦合 1085nm 激光二极管可作为库存产品提供,也可与 CW 或脉冲激光二极管驱动器配套使用。它们与我们的低噪声 CW 或高速纳秒脉冲驱动器兼容。我们还提供带有 TEC 控制器的开放式或集成式交钥匙激光模块。 1085nm 激光二极管的纳秒脉冲功率可达 600mW。大多数交钥匙二极管+驱动器解决方案都经过优化,可实现从单发到 CW 的性能,脉冲宽度可低至 1 纳秒。1085nm 激光二极管精密脉冲由板载脉冲发生器在内部产生,或根据需要由外部 TTL 信号产生。有关这里使用的两种技术的更多信息,请参阅我们的光纤耦合激光二极管教程:Fabry ...
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反向电压: 15 V
温度范围: -20 °C - 60 °C
这些光纤耦合 1535nm 激光二极管可作为库存产品提供,也可与低噪声 CW 或脉冲激光二极管驱动器配套使用。所有 2 个型号都是单频版本,最高功率可达 30mW。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器兼容,是电信、三维传感或量子研发的最佳解决方案。 单模 1535nm 激光二极管可在纳秒脉冲状态下达到高达 30mW 的高功率。 大多数交钥匙激光管和驱动器解决方案均针对单发到 CW 性能进行了优化,脉冲宽度长度可低至 1 纳秒。 1535nm 激光二极管精密脉冲由板载脉冲发生器在内部产生,或根据需要由外部 ...
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... CAES 为您的设计提供全系列射频检测器,包括 BIT、肖特基二极管、阈值和隧道二极管。 CAES 射频检测器采用肖特基二极管或隧道二极管器件,有多种配置可供选择。安装配置从 "螺栓通道 "器件到全连接器件不等,一般还要求高度定制的功能。封装样式可用于带状线、微带或连接器应用,并可包含内部偏置(通过使用内部焊盘)和各种灵敏度范围。 我们提供各种标准产品,也可根据客户的具体频率和/或灵敏度需求进行定制。隧道二极管检测器在宽温度范围内具有最高的稳定性。 隧道二极管检测器在宽温度范围内具有最高的稳定性。 ...
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