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该光纤耦合 520 nm 半导体激光管可提供现货 也可以与 CW 或脉冲半导体激光管驱动器连用。 我们的全新14引脚“DIL”封装（带TEC）及其蝶形适配套件可以安装在任何蝶形半导体激光管驱动板上。 它们还与我们的低噪声 CW 或高速纳秒脉冲驱动器兼容。 520nm 半导体激光管在纳秒脉冲范围内功率高达75mW。 大多数交钥匙激光管+驱动器解决方案均针对单发到 CW 性能进行了优化，脉冲宽度低至 1 纳秒。 520 nm 半导体激光管由内部板载脉冲发生器或由外部TTL信号按需生成精确脉冲。 520 ...
反向电压: 1,200, 1,700, 650, 1,300 V
温度范围: -40 °C - 210 °C
... ■ 200°C 操作 高阻断电压，低 RDS（导通）密封封装 Solitron 的碳化硅 (SiC) 肖特基二极管的电压范围为 650V 至 1700V，包括单路、双路和桥式配置。这些二极管采用包括全封闭在内的多种封装，为设计人员提供了高效率和终极坚固技术。总电容电荷 (Qc) 较小，降低了开关损耗，实现了高速开关操作。此外，碳化硅 (SiC) 二极管与硅基快速恢复二极管不同，硅基快速恢复二极管的 trr 会随温度升高而增大，而碳化硅 (SiC) 二极管则能保持恒定的特性，从而实现更好的性能。 这些 ...
... CAES 为您的设计提供全系列射频检测器，包括 BIT、肖特基二极管、阈值和隧道二极管。 CAES 射频检测器采用肖特基二极管或隧道二极管器件，有多种配置可供选择。安装配置从 "螺栓通道 "器件到全连接器件不等，一般还要求高度定制的功能。封装样式可用于带状线、微带或连接器应用，并可包含内部偏置（通过使用内部焊盘）和各种灵敏度范围。 我们提供各种标准产品，也可根据客户的具体频率和/或灵敏度需求进行定制。隧道二极管检测器在宽温度范围内具有最高的稳定性。 隧道二极管检测器在宽温度范围内具有最高的稳定性。 ...
反向电压: 60 V
温度范围: -55 °C - 200 °C
... CLA4605-085LF 是一款表面贴装、低电容硅 PIN 限幅二极管，设计为并联 PIN 二极管，适用于 10 MHz 至 6 GHz 以上的高功率限幅应用。 10 mA 时的最大电阻为 2 Ω，6 V 时的最大电容为 0.45 pF。低结电容、低寄生电感、低热阻和标称 2 um I 区宽度的组合使 CLA4605-085LF 适用于大信号限幅器应用。阈值电平标称为 +9 dBm。 CLA4605-085LF 的框图如图 1 所示。CLA4605-085LF ...
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