信号二极管

反向电压: 2 V
温度范围: 10 °C - 55 °C

... 这些光纤耦合 450nm 激光二极管可作为库存产品提供，也可与连续波或脉冲激光二极管驱动器配套使用。 它们可与我们的高速纳秒脉冲驱动器或带空气冷却的高功率 CW 驱动器兼容，用于多模高功率激光二极管版本。 单模 450nm 激光二极管可在纳秒脉冲状态下达到高达 60mW 的高功率。 大多数交钥匙激光管+驱动器的光源模块均针对单发到CW性能进行了优化，脉冲长度低至1纳秒。 450nm 激光二极管精密脉冲由板载脉冲发生器在内部产生，或根据要求由外部 TTL 信号产生。提供 3 种多模版本，在 105µm ...

反向电压: 2 V
温度范围: -20 °C - 75 °C

... 这些光纤耦合 1064nm 激光二极管可作为库存产品提供，也可与连续波或脉冲激光二极管驱动器配套使用。 它们可与低噪声连续或高速纳秒脉冲驱动器兼容（向下滚动查看所有版本） 3 个 DFB 版本可用于脉冲或窄线宽 CW 模式跳变自由连续调谐。 这些 1064nm 激光二极管可在纳秒脉冲状态下达到高达 2W 的高输出功率。 大多数交钥匙激光管+驱动器解决方案均针对单发到 CW 性能进行了优化，脉冲宽度低至 1 纳秒。 1064nm 激光二极管精密脉冲由板载脉冲发生器在内部产生，或根据要求由外部 TTL ...

反向电压: 15 V
温度范围: -20 °C - 60 °C

... 该光纤耦合 1490 nm 半导体激光管可提供现货，也可与低噪声 CW 或脉冲半导体激光管驱动器连用。 这两种型号均为单频版本（DFB半导体激光管），功率可达 40 mW。 它们可以与我们的高速纳秒脉冲驱动器兼容，适用于电信、光谱学或三维传感研发。 该单模 1490 nm 半导体激光管可在纳秒脉冲状态下达到高达 60 mW 的高功率。 大多数交钥匙激光管和驱动器解决方案均针对单发到 CW 性能进行了优化，脉冲宽度长度可低至 1 纳秒。 1490 nm 半导体激光管精密脉冲由内部板载脉冲发生器或根据需要由外部 ...

反向电压: 2 V
温度范围: 0 °C - 70 °C

... 这些光纤耦合 1070nm 激光二极管可作为库存产品提供，也可与 CW 或脉冲激光二极管驱动器配套使用。它们与我们的低噪声 CW 或高速纳秒脉冲驱动器兼容。我们还提供带有 TEC 控制器的开放式或集成式交钥匙激光模块。 1070nm 激光二极管的纳秒脉冲功率可达 675mW。大多数交钥匙二极管+驱动器解决方案都经过优化，可实现从单发到 CW 的性能，脉冲宽度可低至 1 纳秒。1070nm 激光二极管精密脉冲由板载脉冲发生器在内部产生，或根据需要由外部 TTL 信号产生。 有关这里使用的两种技术的更多信息，请参阅我们的光纤耦合激光二极管教程：Fabry ...

反向电压: 15 V
温度范围: -20 °C - 60 °C

... 该光纤耦合 1510 nm 半导体激光管可提供现货，也可与低噪声 CW 或脉冲半导体激光极管驱动器连用。 这两种型号均为单频版本（DFB半导体激光管），功率可达 40 mW。 它们可以与我们的高速纳秒脉冲驱动器兼容，适用于电信、光谱学或三维传感研发。 该单模1510 nm 半导体激光管在纳秒脉冲状态下可达到60 mW的高功率。 大多数交钥匙激光管和驱动器解决方案均针对单发到 CW 性能进行了优化，脉冲宽度长度可低至 1 纳秒。 1510 nm 半导体激光管精密脉冲由内部板载脉冲发生器产生，也可以根据需要由外部TTL信号产生。 ...

反向电压: 2 V
温度范围: -40 °C - 60 °C

... 这些光纤耦合 660nm 激光二极管作为库存产品提供 也可以和 CW 或脉冲半导体激光管驱动器联用。 它们可与我们的高速纳秒脉冲驱动器或带空气冷却的高功率 CW 驱动器兼容，用于多模高功率激光二极管版本。 单模型号的 660nm 激光二极管功率可达 150mW，多模型号可达 10W。 大多数交钥匙单模激光管+驱动器解决方案均针对单发到 CW 性能进行了优化，脉冲宽度长度低至 1 纳秒。 660nm 激光二极管精密脉冲由板载脉冲发生器在内部产生，或根据需要由外部 TTL 信号产生。 660nm ...

反向电压: 2 V
温度范围: 0 °C - 70 °C

... 这些光纤耦合 1075nm 激光二极管可作为库存产品提供，也可与 CW 或脉冲激光二极管驱动器配套使用。它们与我们的低噪声 CW 或高速纳秒脉冲驱动器兼容。我们还提供带有 TEC 控制器的开放式或集成式交钥匙激光模块。 1075nm 激光二极管的纳秒脉冲功率可达 600mW。大多数交钥匙二极管+驱动器解决方案都经过优化，可实现从单发到 CW 的性能，脉冲宽度可低至 1 纳秒。1075nm 激光二极管精密脉冲由板载脉冲发生器在内部产生，或根据需要由外部 TTL 信号产生。有关这里使用的两种技术的更多信息，请参阅我们的光纤耦合激光二极管教程：Fabry ...

反向电压: 15 V
温度范围: -20 °C - 60 °C

... 这些光纤耦合 1525 nm 半导体激光管可提供现货，也可与低噪声 CW 或脉冲半导体激光管驱动器连用。 所有 2 个型号均为单频版本，功率高达 30 mW。 它们与我们的高速纳秒脉冲驱动器兼容，是电信、三维传感或量子研发的最佳解决方案。 单模1525 nm半导体激光管的纳秒脉冲功率可达 30 mW。 大多数交钥匙激光管和驱动器解决方案均针对单发到 CW 性能进行了优化，脉冲宽度长度可低至 1 纳秒。 1525 nm 半导体激光管精密脉冲由内部板载脉冲发生器产生，或根据需要由外部 TTL 信号产生。 ...

反向电压: 2 V
温度范围: -20 °C - 70 °C

... 该光纤耦合 808 nm 半导体激光管可提供现货，也可以与 CW 或脉冲半导体激光管驱动器连用。 它们与用于多模半导体激光管的高速纳秒脉冲驱动器或高功率 CW 和带空气冷却的脉冲驱动器相兼容。 单模808 nm 半导体激光管可在纳秒脉冲范围内达到 400 mW 的高功率。 大多数交钥匙激光管+驱动器的光源模块均针对单发到CW性能进行了优化，脉冲长度低至1纳秒。 808 nm 半导体激光管由内部的板载脉冲发生器或外部 TTL 信号提供精确脉冲。 CW和脉冲模式下提供 4 种多模版本，100 µm ...

反向电压: 2 V
温度范围: 0 °C - 70 °C

... 这些光纤耦合 1080nm 激光二极管可作为库存产品提供，也可与 CW 或脉冲激光二极管驱动器配套使用。它们与我们的低噪声 CW 或高速纳秒脉冲驱动器兼容。我们还提供带有 TEC 控制器的开放式或集成式交钥匙激光模块。 1080nm 激光二极管在纳秒脉冲状态下的功率可达 600mW。大多数交钥匙二极管+驱动器解决方案都经过优化，可实现单发至 CW 性能，脉冲宽度长度可低至 1 纳秒。1080nm 激光二极管精密脉冲由板载脉冲发生器在内部产生，或根据需要由外部 TTL 信号产生。有关这里使用的两种技术的更多信息，请参阅我们的光纤耦合激光二极管教程：Fabry ...